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NDSH30120CDN	文件：302.2 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 30 A, 1200 V, D3, TO-247-3L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CP30120	文件：341.09 Kbytes Page：2 Pages	BNCFEEDTHROUGHCONNECTORS	CLIFF Electronic Components Ltd.	CLIFF
CPT30120	文件：126.03 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●CommonCathodeCenterTap ●300Amperes/45Volts ●125°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●VRRM20-45Volts ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CSS-S30120G	文件：240.28 Kbytes Page：7 Pages	0.3InchSingleDigitSMDDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI
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DSTF30120CR	文件：691.84 Kbytes Page：3 Pages	Highfrequencyoperation	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
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FFSH30120A	文件：294.06 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSH30120A	文件：460.52 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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GMS30120	文件：964.32 Kbytes Page：158 Pages	4-BITSINGLECHIPMICROCOMPUTERS OUTLINEOFCHARACTERISTICS TheGMS300seriesisafamilyof4-bit,singlechipCMOSmicrocomputer.Sinceitcanformasystembyonechip,itcontributestocostreductionandhigherefficiencyinsystem. Characteristics •Programmemory:512bytesforGMS30004/012	HynixHynix Semiconductor SK海力士海力士半导体	Hynix
HBRX30120CT	文件：366.6 Kbytes Page：4 Pages	TrenchSchottkyBarrierRectifier	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
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ISRL30120C	文件：208.3 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
JK30120	文件：372.75 Kbytes Page：5 Pages	ResettableFusePTC30VSeries	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 华兴安深圳市华兴安电子有限公司	HUAXINAN

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