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General Description
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V – 20V).
Features
• –2.3 A, –60 V RDS(ON)= 250 mΩ@ VGS= –10 V
RDS(ON)= 500 mΩ@ VGS= –4.5 V
• Low gate charge (9nC typical)
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• High power and current handling capability
产品属性
- 型号：
NDS9948
- 功能描述：
MOSFET Dual PCh PowerTrench
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装 |
24+ |
标准 |
33634 |
热卖原装进口 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
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2020+ |
SOP-8 |
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23+ |
NA |
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23+ |
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