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NDD03N50Z-1G	文件：124.45 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD03N50Z-1G	文件：1.07551 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDD03N50Z-1	文件：317.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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NDD03N50Z-1G

文件：124.45 Kbytes

Page：8 Pages

N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NDD03N50Z-1G

文件：1.07551 Mbytes

Page：9 Pages

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

NDD03N50Z-1

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
NDD03N50Z-1G
功能描述：
MOSFET 500V 2.6A HVFET IPAK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	NDD03N50Z-1G	ON/安森美	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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