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NDD02N60Z-1G中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
NDD02N60Z-1G
- 功能描述:
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
589610 |
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ON/安森美 |
TO-251 |
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ON/安森美 |
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DPAKINSERTIONMOUNT |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
9000 |
原装正品 |
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NA |
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ON |
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TO-251 |
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21+ |
TO-251 |
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原装正品进口现货 |
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onsemi |
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I-PAK |
9800 |
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ON/安森美 |
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DPAK |
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