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NCE60H18

文件：642.57 Kbytes

Page：7 Pages

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE60H18usesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis suitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurpose applications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=180A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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更多NCE60H18供应商更新时间2024-6-10 11:10:00

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