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NAND128W3A2BN6E 集成电路(IC)存储器 MICRON/镁光
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原厂料号:NAND128W3A2BN6E品牌:MICRON
NAND128W3A2BN6E是集成电路(IC) > 存储器。制造商MICRON/Micron Technology Inc.生产封装48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)的NAND128W3A2BN6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
产品属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NAND128W3A2BN6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
128Mb(16M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
50ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
供应商
- 企业:
兆亿微波(北京)科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
魏小姐
- 手机:
13718660290
- 询价:
- 电话:
010-82888379
- 地址:
北京市海淀区上地五街16号1幢4层4110室
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