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NAND128W3A2BN6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND128W3A2BN6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND128W3A2BN6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND128W3A2BN6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
NAND128W3A2BN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司
NAND128W3A2BN6F TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司

详细参数

型号：
NAND128W3A2BN6
功能描述：
闪存 NAND 128 MEG
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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