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NAND04GW3B2DN6E 集成电路(IC)存储器 ST/意法半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NAND04GW3B2DN6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
4Gb(512M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
供应商
- 企业:
深圳市正迈科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
董小姐(原装现货供应商)
- 手机:
18124078320
- 询价:
- 电话:
18124078320
- 传真:
0755-83200684
- 地址:
深圳市福田区华富路振华集团华康大厦1栋412室
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