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N6506NZ-S17-AY	文件：297.45 Kbytes Page：8 Pages	N-channel MOSFET 650V, 7.5A, 1.3 Description TheN6506NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=1.3MAX.(VGS=10V,ID=3.75A) Lowinputcapacitance Ciss=1385pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±7.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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N6506NZ-S17-AY

文件：297.45 Kbytes

Page：8 Pages

N-channel MOSFET 650V, 7.5A, 1.3

Description TheN6506NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=1.3MAX.(VGS=10V,ID=3.75A) Lowinputcapacitance Ciss=1385pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±7.

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