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BAP50-03	文件：60.95 Kbytes Page：8 Pages	GeneralpurposePINdiode DESCRIPTION GeneralpurposePINdiodeinaSOD323smallplasticSMDpackage. FEATURES •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance. APPLICATIONS •GeneralRFapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP50-03	文件：57.41 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePINDiode Features ●Lowdiodecapacitance. ●Lowdiodeforwardresistance.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAP50-03	文件：318.99 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalGeneralPurposePiNDiode FEATURES •LowDiodeCapacitance •LowDiodeForwardResistance	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BAP50-03	文件：712.29 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPINDIODES GENERALPURPOSEPINDIODES FEATURES •Lowdiodecapacitance	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BAP50-03	文件：60.42 Kbytes Page：8 Pages	GeneralpurposePINdiode	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP50-03	文件：58.51 Kbytes Page：7 Pages	GeneralpurposePINdiode Generaldescription GeneralpurposePINdiodeinaSOD323smallplasticSMDpackage. Features ■Lowdiodecapacitance ■Lowdiodeforwardresistance Applications ■GeneralRFapplication	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP50-03	文件：377.69 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposePinDiodes200mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •MARKING:A81	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAP50-03	文件：379.47 Kbytes Page：3 Pages	GeneralpurposePINdiode	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BAP50-03	文件：71.85 Kbytes Page：8 Pages	GeneralpurposePINdiode	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BAP50-03	文件：58.5 Kbytes Page：7 Pages	GeneralpurposePINdiode	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP50-03	文件：599.03 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEPINDIODE SOD-323Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAP50-03	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAR50-03W	文件：39.06 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPINDiodes	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAR50-03W	文件：982.95 Kbytes Page：12 Pages	SiliconPINDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR50-03W	文件：874.19 Kbytes Page：12 Pages	SiliconPINDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR50-03W	文件：465.3 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IFE50-03	文件：91.33 Kbytes Page：2 Pages	5AFASTEFFICIENTRECTIFIER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
KAP50-03	文件：57.41 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePINDiode Features ●Lowdiodecapacitance. ●Lowdiodeforwardresistance.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SF50-03	文件：128.91 Kbytes Page：2 Pages	5ASUPERFASTRECOVERYRECTIFIER	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
SF50-03G	文件：128.87 Kbytes Page：2 Pages	5AGLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECOVERYRECTIFIER	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

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更多N50-03供应商更新时间2024-5-30 10:08:00

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