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N0100P-T1-AT分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

N0100P-T1-AT
厂商型号

N0100P-T1-AT

参数属性

N0100P-T1-AT 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个;产品描述:TRANSISTOR

功能描述

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
TRANSISTOR

文件大小

262.38 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 16:53:00

N0100P-T1-AT规格书详情

DESCRIPTION

The N0100P is a switching device, which can be driven directly by a 1.8 V power source.

This N0100P features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

• 1.8 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 44 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −2.0 A)

RDS(on)2 = 56 mΩ MAX. (VGS = −3.0 V, ID = −2.0 A)

RDS(on)3 = 62 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −2.0 A)

RDS(on)4 = 105 mΩ MAX. (VGS = −1.8 V, ID = −1.5 A)

• Built-in gate protection diode

N0100P-T1-AT属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个。瑞萨科技有限公司制造生产的N0100P-T1-AT晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

产品属性

  • 产品编号:

    N0100P-T1-AT

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    3.5A(Ta)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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