| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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ONSOT223 |
14000 |
2140+ |
特价热卖! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装NA |
40650 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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ONTO-261-4 |
8029 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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ONTO-261-4 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT223 |
19048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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ONSOT-223-3 |
30000 |
22+ |
100%公司原装现货,欢迎加Q微信咨询 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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ON(安森美)SOT-223 |
8288 |
2305+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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ONSEMISMD |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ONSEMISOT-223 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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ONSOT223 |
26084 |
20+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市纽联电子有限公司1年
留言
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OnsemiN/A |
23000 |
21+ |
确保原装现货,实单价格支持! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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ONSOT23 |
48000 |
21+ |
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深圳市富利微电子科技有限公司9年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT223 |
7906200 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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ONSOT223 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONSMD |
50000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
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NVF3055L108T1G价格
NVF3055L108T1G价格：￥1.6181品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NVF3055L108T1G多少钱，想知道NVF3055L108T1G价格是多少？参考价：￥1.6181。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NVF3055L108T1G批发价格及采购报价，NVF3055L108T1G销售排行榜及行情走势，NVF3055L108T1G报价。
NVF6P02T3G中文资料Alldatasheet PDF
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NVF2201NT1G制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SC70 20V 300MA 1.0OH - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SC70 20V 300MA 1.0OH
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NVF2955制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET a??60 V, a??2.6 A, Single Pa??Channel SOTa??223
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NVF2955PT1G功能描述:MOSFET PFET 60V 2.6A 140M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVF2955T1G功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NVF3055-100T1G功能描述:MOSFET NFET 60V 3A 0.100R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
