| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美12068 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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ON/安森美SOT23-8 |
17316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT23-8 |
6000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23-8 |
13048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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ONSOT23-8 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美 |
39639 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemi8-SMD,扁平引线 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美ChipFET |
45000 |
1925+ |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
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ON(安森美)NA |
8000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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ONSOT23-8 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市外芯人半导体有限公司1年
留言
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ONSOT23-8 |
10000 |
23+ |
本司只做原装，可配单 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONSOT23-8 |
6000 |
22+ |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ON/安森美1206-8 |
99773 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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PANASONICSOD323 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ONChipFET |
6000 |
17+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON SemiconductorChipFET? |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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ON面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ONSemiconductorChipFET |
7500 |
07+/08+ |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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ONSOT23-8 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
NTHD3100采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTHD3100图片
NTHD3100CT1G价格
NTHD3100CT1G价格：￥1.3270品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTHD3100CT1G多少钱，想知道NTHD3100CT1G价格是多少？参考价：￥1.3270。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTHD3100CT1G批发价格及采购报价，NTHD3100CT1G销售排行榜及行情走势，NTHD3100CT1G报价。
NTHD3100CT1中文资料Alldatasheet PDF
更多NTHD3100C制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET
NTHD3100CT1功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD3100CT1G功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD3100CT3功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD3100CT3G功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD3100F制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
