| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ONSN/A |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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ONTO-252 |
15000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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22500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
20300 |
08+ |
全新原装,价格优势 |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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ONDPAK |
14950 |
1506+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ONSN/A |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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OTO-251 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ONDPAK |
6000 |
17+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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ONTO-263 |
18000 |
23+ |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
150 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ON/ON Semiconductor/安森美/安TO251 |
240 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK |
99231 |
22+ |
NTD80N02采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTD80N02图片
NTD80N02T4价格
NTD80N02T4价格：￥1.9500品牌：ON
生产厂家品牌为ON的NTD80N02T4多少钱，想知道NTD80N02T4价格是多少？参考价：￥1.9500。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTD80N02T4批发价格及采购报价，NTD80N02T4销售排行榜及行情走势，NTD80N02T4报价。
NTD80N02中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD80N02功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD80N02-001功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD80N02-032制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
NTD80N02-032G制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
NTD80N02-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD80N02G功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD80N02T4功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD80N02T4G功能描述:MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
