| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
ON/安森美DPAK |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
ON/安森美SOT252 |
90000 |
2020+ |
原装现货/假一罚十/可开增票 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
onsemi(安森美)IPAK |
7845 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
|
ONSOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
ONSOT252 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
|
深圳硅原半导体有限公司7年
留言
|
ON/安森美SOT252 |
24565 |
诚心经营 原盒原标 正品现货 价格美丽假一罚十 |
||||
|
深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
|
ONSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
|||
|
深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
|
ON/安森美SOT252 |
3430 |
06+ |
原装现货 |
|||
|
深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
|
ONSOT252 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
49000 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市近平电子有限公司8年
留言
|
ON面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
ONTO-252 |
3000 |
22+ |
|
原装正品,支持实单 |
||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
ONSDPAK(TO-252) |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
|
ONDPAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
|||
|
天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
|
ONTO-252 |
150 |
1519 |
全新原装 实单必成 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
ON/安森美DPAK |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
ONDPAK |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
ON/安森美DPAK |
32500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
|
iscDPAK/TO-252 |
5650 |
2024 |
|
国产品牌isc,可替代原装 |
NTD65N03R采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTD65N03R图片
NTD65N03R中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD65N03R功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03R-001功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03R-035功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03R-1制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03R-1G功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03R-35制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03R-35G功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03RG功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03RT4功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03RT4G功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
