| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT252 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美) |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
3355 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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ON原厂原装 |
1305 |
360000 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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ONSOT252 |
32970 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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ONDPAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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ON面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ON |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市海天鸿电子科技有限公司5年
留言
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ON? |
7500 |
1728+ |
只做原装进口,假一罚十 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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ON/安森美DPAK |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SOT252 |
12000 |
22+ |
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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ON/安森美现货很近!原厂很远!只做原装 |
32500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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ON/安森美SOT252 |
6000 |
23+ |
有单必成,承诺原装正品 |
NTD60N03采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTD60N03图片
NTD60N03中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD60N03制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60A,28V N-CH 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60Amps, 28Volts N-Channel DPAK
NTD60N03-001功能描述:MOSFET N-CH 28V 60A IPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD60N03-1制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts
NTD60N03T4功能描述:MOSFET N-CH 28V 60A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
