选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美IPAK-4 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
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ON(安森美)TO-252-2 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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SOP |
31945 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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世云芯(深圳)科技有限责任公司3年
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ONXQFN-68 |
20000 |
22+ |
公司原装现货可专票 |
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深圳市粤华信科技有限公司1年
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ONTO-252 |
2500 |
22+ |
粤华信原装正品-支持实单 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
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ON(安森美)TO-252-2(DPAK) |
8290 |
2307+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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ONTO-252 |
2500 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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OnsemiNA |
50000 |
22+ |
100%原装正品现货,现货型号众多加QQ咨询 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
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ONSEMITO-252 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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ON/安森美TO252 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
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ONSOT23 |
2500 |
21+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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ON/安森美TO-252 |
43816 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
39548 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
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ON/安森美TO-252 |
8000 |
2152+ |
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原装正品假一罚十 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONTO-252 |
21000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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ONTO-252 |
20000 |
23+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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NTD5865N图片
NTD5865NT4G价格
NTD5865NT4G价格:¥1.3025品牌:ONSemi
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NTD5865NLT4G公司原装正品现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商
NTD5865NLT4G 场效应管 原装正品
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NTD5865NLT4G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD5865N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 60 V, 38 A, 18 m
NTD5865N-1G功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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NTD5865NL-1G功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5865NLT4G功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD5865NT4G功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube