| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)IPAK |
7845 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-252 |
10053 |
2105+ |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ONTO-251 |
5341 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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ONTO-252 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiDPAK-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-252-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-251-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市恒诺芯科技有限公司3年
留言
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NA |
33220 |
2322+ |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
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ON(安森美)标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-252 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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原厂TO-252 |
20000 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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ON/安森美TO252 |
15000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
23+ |
原装，可配单 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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ON SemiconductorN/A |
3720 |
2010+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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ONTO-251 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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ONTO-251 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
NTD4965采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTD4965图片
NTD4965NT4G价格
NTD4965NT4G价格：￥1.1424品牌：ON
生产厂家品牌为ON的NTD4965NT4G多少钱，想知道NTD4965NT4G价格是多少？参考价：￥1.1424。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTD4965NT4G批发价格及采购报价，NTD4965NT4G销售排行榜及行情走势，NTD4965NT4G报价。
NTD4965N-1G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD4965N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK
NTD4965N-1G功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4965N-35G功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4965NT4G功能描述:MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
