选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
21000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-252 |
10053 |
2105+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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安森美TO-252 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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ONTO-252 |
6800 |
22+ |
全新原装公司现货假一罚十 |
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深圳市君亿电子科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiDPAK |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ONSOT252 |
3845 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ONSEMICTO252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美) |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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ONTO-252 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
100 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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ON/安森美TO-251 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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ONQFN |
200 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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ON SemiconductorN/A |
2544 |
2010+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)IPAK |
6000 |
23+ |
NTD4909采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NTD4909图片
NTD4909NT4G价格
NTD4909NT4G价格:¥1.0017品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTD4909NT4G多少钱,想知道NTD4909NT4G价格是多少?参考价:¥1.0017。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NTD4909NT4G批发价格及采购报价,NTD4909NT4G销售排行榜及行情走势,NTD4909NT4G报价。
NTD4909NA-35G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD4909N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4909N-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4909N-35G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4909NA-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4909NA-35G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4909NAT4G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4909NAT4H制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:ON Semiconductor
NTD4909NT4G功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4909NT4H制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:ON Semiconductor