选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
35628 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
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ON/安森美TO-252 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美TO252 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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ONSOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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ONTO-252 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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ONTO252 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
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ON/安森美TO-252 |
94563 |
22+ |
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深圳兆威电子有限公司5年
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ONTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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ONTO-252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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ON/安森美NA/ |
22500 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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ONTO252 |
5790 |
1845+ |
只做原装!量大可以订货!特价支持实单! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
35628 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美TO-252 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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ONTO-252 |
35628 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
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ON/安森美TO-252 |
22500 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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ONTO-252 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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ON/安森美DPAK-4 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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ON/安森美TO-252 |
22500 |
23+ |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscDPAK/TO-252 |
2000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
NTD4857N采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NTD4857N图片
NTD4857N中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD4857N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 78 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD4857N-1G功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4857N-35G功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4857NA-1G功能描述:MOSFET NFET DPAK 25V 78A 0.0057R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4857NAT4G功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4857NT4G功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube