| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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ONTO-252 |
15000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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ON/安森美TO-252 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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ONIPAK |
21935 |
1403+ |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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ONIPAK-3 |
78000 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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ONIPAK-3 |
7443 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
35500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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ON/安森美TO252 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-252 |
38900 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ON/安森美DPAK |
9852 |
21+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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ONTO252 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-252 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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ON/安森美IPAK-3 |
34137 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONSOT252 |
35500 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONSemiIPAK |
10000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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ON/安森美SOT-252 |
8659 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
NTD4810采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTD4810图片
NTD4810NT4G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD4810N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4810N-1G功能描述:MOSFET NFET 30V 54A 10MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4810N-35G功能描述:MOSFET NFET 30V 54A 10MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4810NH制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4810NH-1G功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD4810NH-35G功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD4810NHT4G功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD4810NT4G功能描述:MOSFET NFET 30V 54A 10MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
