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深圳市振鑫微电子科技有限公司

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NTD25P03L

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深圳市坤融电子科技有限公司

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NTD25P03L

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深圳市慧业盛科技有限公司

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深圳市芯祺盛科技有限公司

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ONTO-252

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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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ONTO252

3901

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深圳市豪迈兴电子有限公司

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ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

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深圳市天芯威科技有限公司

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ON(安森美)TO-252

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深圳市振鑫微电子科技有限公司

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ON(安森美)N/A

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新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理!

深圳市华康联电子科技有限公司

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ONTO252

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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

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OnsemiNA

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100%原装正品现货,现货型号众多加QQ咨询

深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市桐芯微电子有限公司

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原装正品 现货 真诚出货

深圳市恒达亿科技有限公司

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ONTO252

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深圳市汇莱威科技有限公司

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深圳市弘扬芯城科技有限公司

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VBsemi(微碧)TO-252-3

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诚信服务,绝对原装原盘。

深圳市纽联电子有限公司

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OnsemiN/A

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确保原装现货,实单价格支持!

深圳市得捷芯城科技有限公司

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ON/安森美TO252

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深圳市福田区晶康业电子商行

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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ON/安森美TO252

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NTD25P03LT4G价格:¥1.8095品牌:ON

生产厂家品牌为ON的NTD25P03LT4G多少钱,想知道NTD25P03LT4G价格是多少?参考价:¥1.8095。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NTD25P03LT4G批发价格及采购报价,NTD25P03LT4G销售排行榜及行情走势,NTD25P03LT4G报价。

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NTD25P03LT4G 原厂原装MOSFET -30V -25A P-Channel

只做原装正品现货支持实单

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NTD25P03L功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD25P03L_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt

NTD25P03L1功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD25P03L1G功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD25P03LG功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD25P03LRL功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD25P03LRLG功能描述:MOSFET PFET 30V 25A LL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD25P03LT4功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD25P03LT4G功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTD25P03LT4G-CUT TAPE制造商:ON 功能描述:NTD Series P-Channel 30 V 51 mOhm 75 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252