| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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4500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美D2PAK |
1200 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-263 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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ON SEMICONDUCTORTO-263 |
6500 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT263 |
1000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON(安森美)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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OND2PAK3LEAD |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
2000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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ONTO-263 |
222 |
0530+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ON/ON Semiconductor/安森美/安TO-263 |
222 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ONTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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ONSTO-263 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-263 |
2000 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ONTO-263 |
6528 |
2016+ |
只做原装正品现货!或订货 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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ONTO-263 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
NTB60N06采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTB60N06图片
NTB60N06T4G价格
NTB60N06T4G价格：￥6.1195品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTB60N06T4G多少钱，想知道NTB60N06T4G价格是多少？参考价：￥6.1195。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTB60N06T4G批发价格及采购报价，NTB60N06T4G销售排行榜及行情走势，NTB60N06T4G报价。
NTB60N06资讯
NTB60N06T4G MOSFET N沟道 60V 60A TO263 ON安森美
深圳市轩嘉盛电子有限公司NTB60N06T4G60V60ATO263
NTB60N06中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB60N06功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06G功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06L功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06LG功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06LT4功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06LT4G功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06T4功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06T4G功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
