| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美D2PAK |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-263 |
7500 |
24+ |
只做原装进口假一赔十全部自己现货库存 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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ONSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT263 |
1000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IORD2PAK |
2987 |
22+ |
绝对全新原装现货供应! |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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ON/安森美D2PAK |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美T0-263 |
18000 |
22+ |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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OND2PAK |
37650 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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ON SemiconductorTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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OND2PAK |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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ON面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ONTO-263 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-263 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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OND2PAK |
23589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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ON/安森美D2PAK |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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ONTO-263 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ON/安森美D2PAK |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ONTO-263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSD2PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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NTB18N06L图片
NTB18N06L资讯
NTB18N06LT4G MOSFET ON安森美 60V15A TO263 N沟道
深圳市轩嘉盛电子有限公司NTB18N06LT4G60V15AON
NTB18N06LT4
百分百原装欢迎大家来咨询购买
NTB18N06L中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB18N06L功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06LG功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06LT4功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB18N06LT4G功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
