| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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CEL原厂原封 |
5000 |
17+ |
原装正品 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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NEC面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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CELSOT-343F |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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NESG2030M04-A图片
NESG2030M04-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NESG2030M04-A功能描述:射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极连续电流: 功率耗散: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel
产品属性
- 产品编号：
NESG2030M04-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
2.3V
- 频率 - 跃迁：
60GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
- 增益：
16dB
- 功率 - 最大值：
80mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 5mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-343F
- 供应商器件封装：
M04
- 描述：
RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04
