选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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NECSOT-89 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市华博特电子有限公司6年
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RENESASSOT-89 |
1100 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
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NECSOT89 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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3000 |
公司存货 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
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NECSOT89 |
180000 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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NECSOT-89 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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100KNECSOT89 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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NECSOT-89 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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NECSOT89 |
1020 |
2017+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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NECSOT-89 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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NEC(VA)原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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CELSOT89 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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NEC/Renesas Electronics AmericSOT89 |
1020 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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RENESASSOT-89 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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CEL原厂原封 |
4000 |
17+ |
原装正品 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
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NECSOT89 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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100K原装NECSOT89 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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NECSOT89 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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CELSOT89 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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NE85634图片
NE85634-T1-A价格
NE85634-T1-A价格:¥3.1677品牌:CEL
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NE85634-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多NE85634功能描述:射频双极电源晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray
NE85634-A功能描述:射频双极电源晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray
NE85634-T1功能描述:射频双极电源晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray
NE85634-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85634-T1-RE-A制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION3-PIN POWER MINIMOLD 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:TRANS RF NPN 100MA 12V SOT-89