| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SOT23-3 |
24000 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市思乐华科技有限公司1年
留言
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NEC |
4000 |
22+ |
全新原装特价现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT-23 |
68900 |
RENESAS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气SOT-23.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-23 |
9000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESASSOT-23 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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CELTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45980 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-23 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Renesas(瑞萨)标准封装 |
17048 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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CELSOT23 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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CELSOT23 |
30000 |
1436+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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NECELECTRON原封装 |
2040 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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NEC(VA)原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA/ |
30 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT23 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-23.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-23.贴片 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
NE85633-T1B采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE85633-T1B图片
NE85633-T1B-A价格
NE85633-T1B-A价格：￥2.4229品牌：CEL
生产厂家品牌为CEL的NE85633-T1B-A多少钱，想知道NE85633-T1B-A价格是多少？参考价：￥2.4229。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NE85633-T1B-A批发价格及采购报价，NE85633-T1B-A销售排行榜及行情走势，NE85633-T1B-A报价。
NE85633-T1B-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE85633-T1B功能描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85633-T1B-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85633-T1B-R23-A制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCI 制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:TRANS RF NPN 100MA 12V SOT-23
NE85633-T1B-R24制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
NE85633-T1B-R24-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85633-T1B-R25-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
产品属性
- 产品编号：
NE85633-T1B
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
- 增益：
9dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
