| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NEC/SKNA/ |
3000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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NEC/SOT-323 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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NE85630817 |
817 |
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深圳市近平电子有限公司8年
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面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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NECSOT-323 |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
49400 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
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NECSOT323 |
64580 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
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NECSOT323 |
180000 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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NECSOT-323 |
3000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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库存86KSOT-323 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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300K库存RENESASSOT323 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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NEC(VA)原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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RENESAS/Renesas Electronics AmSOT323 |
6000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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NECSOP-8 |
18000 |
23+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA/ |
9250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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RENESASSOT323 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NEC/SKSOT-323 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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RENESASSOT323 |
25870 |
2202+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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NECSOT-323 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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NE85630图片
NE85630-T1-A价格
NE85630-T1-A价格：￥2.7783品牌：CEL
生产厂家品牌为CEL的NE85630-T1-A多少钱，想知道NE85630-T1-A价格是多少？参考价：￥2.7783。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NE85630-T1-A批发价格及采购报价，NE85630-T1-A销售排行榜及行情走势，NE85630-T1-A报价。
NE85630-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE85630功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85630-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85630-R24-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85630-R25-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85630-T1功能描述:TRANS NPN 1GHZ SOT-323 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85630-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85630-T1-R24制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
NE85630-T1-R24-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85630-T1-R25-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
