| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
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RENESASSOT-89 |
1100 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
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NEC货真价实,假一罚十 |
25000 |
SMT36 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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SOT23-3 |
24000 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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NEC/RENESASSOT-89 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市广弘电子有限公司4年
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NECSOT-423 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Renesas(瑞萨)标准封装 |
17048 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
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NEC/SOT-323 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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CELSOT89 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
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NECSOP-8 |
18000 |
23+ |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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NEC(VA)原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
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NECSOT89 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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NECSOT-23 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NECSOT143 |
7780 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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NECSOT323 |
6852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
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NECSOT23 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
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NECSOT-89 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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NECSOT23-3 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
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Renesas(瑞萨)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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NE856图片
NE85619-T1-A价格
NE85619-T1-A价格：￥2.2259品牌：CEL
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更多NE856制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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NE85618-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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NE85618-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85619功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85619-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE85619-T1功能描述:TRANS NPN 1GHZ SMD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
NE85619-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
