选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
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NECSOT-423 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
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NECSOT423 |
52800 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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RENESAS/瑞萨NA/ |
15200 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
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NECSOP-8 |
18000 |
23+ |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
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RENESASSOT423 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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RENESASSOT423 |
39900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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RENESASSOT423 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-423 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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原厂正品SOT523 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
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NECSOT-423 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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CEL6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT423 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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CEL原厂原封 |
4000 |
17+ |
原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT423 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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RENESASSOT423 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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RENESASSOT423 |
15200 |
2016+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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RENESASSOT423 |
35749 |
2222+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
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RENESASSOT423 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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NE851M03图片
NE851M03-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE851M03功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE851M03-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE851M03-T1功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE851M03-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel