选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-423 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT423 |
7906200 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
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NECSOT-523 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-423 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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CEL原厂原封 |
4000 |
17+ |
原装正品 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NECNA/ |
1880 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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ZXVSOT-523 |
90000 |
20+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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RENESASSOT423 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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NEC(VA)原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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NECSOT23-3 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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NECSOT343 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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NECSOT23 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT23 |
68900 |
NEC/Renesas |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEC/RenesasSOT23 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT423 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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RENESASSOT423 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT143 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气SOT-323 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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NE68830-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE688制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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NE68818功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343R
NE68818-T1制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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NE68819功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68819-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68819-T1功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68819-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68830功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323