| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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RENESASSOT323 |
29856 |
2235+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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RENESASSOT323 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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NECSOT-523 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NECNA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA/ |
21102 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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NECSOT423 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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RENESASSOT323 |
1145 |
2016+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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CELNA |
2735 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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ZXVSOT-523 |
90000 |
20+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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CEL原厂原封 |
4000 |
17+ |
原装正品 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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NEC(VA)原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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NECSOT423 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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NECSOT-343 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT423 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT423 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气SOT-423 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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CELSOT-323 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
NE687采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE687图片
NE68719-T1价格
NE68719-T1价格：￥1.4911品牌：CEL
生产厂家品牌为CEL的NE68719-T1多少钱，想知道NE68719-T1价格是多少？参考价：￥1.4911。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NE68719-T1批发价格及采购报价，NE68719-T1销售排行榜及行情走势，NE68719-T1报价。
NE68730-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多NE687制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68700制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NONLINEAR MODEL
NE68718功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68718-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68718-T1制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68718-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68719功能描述:射频双极小信号晶体管 USE 551-NE68719-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68719-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68719-T1功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE68719-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
