| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NECNA/ |
6783 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NECSMT86 |
3000 |
00+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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NECN/A |
9000 |
1408+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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CEL原厂原装 |
4000 |
17+ |
原装正品 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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NEC |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SMDNA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT-79A |
68900 |
NEC |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT-79A |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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CEL79A |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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NEC |
2679 |
22+ |
原装优势!绝对公司现货!可长期供货! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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NEC十字架 |
8293 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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NECSMT86 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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NECELECTRON面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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3000 |
公司存货 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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NECTO-59 |
8510 |
20+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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原厂正品SMT |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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CEL79A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
NE6510179采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NE6510179图片
NE6510179A-T1价格
NE6510179A-T1价格：￥19.5000品牌：NEC
生产厂家品牌为NEC的NE6510179A-T1多少钱，想知道NE6510179A-T1价格是多少？参考价：￥19.5000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NE6510179A-T1批发价格及采购报价，NE6510179A-T1销售排行榜及行情走势，NE6510179A-T1报价。
NE6510179AT1A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE6510179制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET
NE6510179A功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE6510179A-A功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE6510179A-EVPW19功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE6510179A-EVPW24功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE6510179A-EVPW26功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE6510179A-EVPW35功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE6510179A-T1制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans JFET 8V 2.8A 4-Pin SMT T/R
NE6510179A-T1-A功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
