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NE6500379A-EVPW26功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6500379A 2.6G RoHS:否制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

NE6500379A-T1功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

NE6500379A-T1-A制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MESFET 制造商:Renesas 功能描述:NE6500379A-T1-A