| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
9000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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NECSOT-143 |
9750 |
16+ |
一级代理分销/现货/可长期供应!! |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
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RENESAS/瑞萨SOT-343 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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NECSC70-4 |
7700 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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NECSOT343 |
150000 |
23+ |
一级分销商 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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-IC |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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RENESASSOT-343 |
8500 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气SOT-343 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-23-4 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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NECSOT-343 |
60000 |
10+ |
进口原装现货询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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5000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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NECSOT323-4 |
10000 |
22+ |
原装正品优势现货供应 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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NECSOT343 |
34137 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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NECSOT-343 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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necto-343 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
15000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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NEC |
5000 |
2022+ |
原厂原装,假一罚十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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NECSOT-143 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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NE3503图片
NE3503M04-A价格
NE3503M04-A价格：￥6.4923品牌：CEL
生产厂家品牌为CEL的NE3503M04-A多少钱，想知道NE3503M04-A价格是多少？参考价：￥6.4923。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NE3503M04-A批发价格及采购报价，NE3503M04-A销售排行榜及行情走势，NE3503M04-A报价。
NE3503M04-T2中文资料Alldatasheet PDF
更多NE3503M04制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET
NE3503M04-A功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3503M04-T2-A功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3503M04-T2B-A制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET
