选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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NECSMT86 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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NECSMT86 |
3848 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NECNA/ |
3712 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
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NECSMT |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSMT76 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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NECSO86 |
200 |
2003 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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NEC十字架 |
3000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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NECSMT |
32415 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSMT76 |
462 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSMT76 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NECSMT76 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市粤科源兴科技有限公司10年
留言
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NECSMD |
16428 |
13+ |
原装分销 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NECSMT76 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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NECsot-84 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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NECSMT86 |
8950 |
2019+全新原装正品 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NECSMT86 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NECCAN |
853 |
03+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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NECSMT |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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NECSMT86 |
15000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
NE334S01采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NE334S01图片
NE334S01-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多NE334S01功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE334S01_00制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
NE334S01-A功能描述:MOSFET Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NE334S01-T1功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE334S01-T1-A功能描述:MOSFET Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NE334S01-T1B制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET