选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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RENESASN/A |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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RENESASVQFN |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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RENESAS/瑞萨SMT86 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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RENESASSMD |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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RenesasSMT86 |
1749 |
17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SMT86 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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RenesasSMT86 |
3089 |
17+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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RenesasSMT86 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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NECSMT86 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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NEC(日电电子)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市凯昱电子有限公司4年
留言
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RenesasSMT86 |
8080 |
21+ |
只有原装,支持实单 |
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深圳市鹏锦翔科技有限公司三部2年
留言
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RenesasSMT86 |
10080 |
21+ |
原装,诚信经营 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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RENESAS假一赔十 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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RENESASN/A |
50000 |
21+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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RENESASTO-50 |
4326 |
新批次 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨SMT-86 |
11423 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨SMT-86 |
16500 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨TO-50 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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RENESAS/瑞萨SMT-86 |
6852 |
1922+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NEC4K/RSMT |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
NE3210S01-T1B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NE3210S01-T1B图片
NE3210S01-T1B中文资料Alldatasheet PDF
更多NE3210S01-T1B功能描述:射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3210S01-T1B-A功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
NE3210S01-T1B
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
HFET
- 频率:
12GHz
- 增益:
13.5dB
- 额定电流(安培):
15mA
- 噪声系数:
0.35dB
- 封装/外壳:
4-SMD
- 供应商器件封装:
SMD
- 描述:
FET RF 4V 12GHZ S01