选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
59210 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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NEC大量SOT-343 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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NECSOT-343 |
3000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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NEC大量SOT-343 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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NECSOT143 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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NEC大量SOT-343 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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NECSOT143 |
18000 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NEC大量NA/ |
6250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85100 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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NECSOT343 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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NEC/Renesas Electronics AmericSOT343 |
1500 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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NECSOT343 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NECSOT343 |
1500 |
2016+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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NECSOT343 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT343 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NEC大量SOT-343 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NEC大量SOT-343 |
3000 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT343 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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NECSOT343 |
56425 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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NECSOT343 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
NE25118采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NE25118图片
NE25118-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE25118制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
NE25118-T1功能描述:MOSFET DISC BY CEL 10/00 SOT-343 DL GT MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NE25118-T1-U73功能描述:射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE25118-U73功能描述:射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: