| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23-6 |
89000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT163 |
7906200 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-163 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23-6 |
12001 |
2122+ |
全新原装正品,优势渠道,价格美丽可做含税 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD6-SSOT |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美SOT-163 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FAIRCHILD面议 |
19 |
6000 |
SSOT-6 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FAIRCHISOT163 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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FAIRCHILDSOT-163 |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-163 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT23-6 |
18500 |
21+ |
全新原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT163 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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FAISOT23-6 |
65480 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ON?SOT-23? |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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FAIRCHILDSOT163 |
33900 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDSOT163 |
360000 |
22+ |
进口原装房间现货实库实数 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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ON/安森美SOT23-6 |
9000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童SuperSOT-6 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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NDC651图片
NDC651N价格
NDC651N价格：￥0.8450品牌：FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的NDC651N多少钱，想知道NDC651N价格是多少？参考价：￥0.8450。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NDC651N批发价格及采购报价，NDC651N销售排行榜及行情走势，NDC651N报价。
NDC651N中文资料Alldatasheet PDF
更多NDC651N功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDC651N_F095功能描述:MOSFET 30V 3.2A N-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDC651N_Q功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
