选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-263 |
1600 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
FAIRCHILDTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
FAIRCHILD/仙童SOT263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
NS/国半NA/ |
800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
FSCTO-263 |
790 |
0034+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
FAIRCHILTO-263 |
6523 |
2017+ |
只做原装正品!现货或订货! |
|||
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
NS/National Semiconductor CorpTO-263 |
800 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
|
NSTO-263 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-263 |
790 |
23+ |
||||
|
中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
|
NSTO-263 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
NS |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
NSTO-263 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
|
深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
|||
|
深圳市近平电子有限公司8年
留言
|
NS面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
FTO-263AB |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
FAIRCHILDTO-263-2 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
|
FAIRCHILTO-263-2 |
5425 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
Fairchild/ONTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
FSCTO263 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
NDB7060采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NDB7060图片
NDB7060中文资料Alldatasheet PDF
更多NDB7060功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDB7060L功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件