| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO263 |
29600 |
23+ |
一级分销商! |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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NSTO263 |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO263 |
200 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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NS/国半TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FSCTO-263 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FSC面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
3750 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
FSC |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FSCTO-263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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FSCTO263 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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FSCTO-263 |
50000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
500 |
23+ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
59210 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
NDB603采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NDB603图片
NDB6030PL价格
NDB6030PL价格：￥5.9303品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的NDB6030PL多少钱，想知道NDB6030PL价格是多少？参考价：￥5.9303。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NDB6030PL批发价格及采购报价，NDB6030PL销售排行榜及行情走势，NDB6030PL报价。
NDB603中文资料Alldatasheet PDF
更多NDB603制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6030功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDB6030L功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDB6030PL功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDB603AL功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
