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MURHS160T3G	文件：125.02 Kbytes Page：5 Pages	ULTRAFAST RECTIFIER 1.0 AMPERES 600 VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURHS160T3G	文件：133.61 Kbytes Page：5 Pages	Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURHS160T3G	文件：62.61 Kbytes Page：5 Pages	Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURHS160T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-214AA，SMB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 1A SMB	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURHS160T3G_12	文件：133.61 Kbytes Page：5 Pages	Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBR160T3G	文件：256.25 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierPlasticSOD??23Package	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MBRA160T3	文件：122.69 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA160T3	文件：6.37993 Mbytes Page：2 Pages	CHIPSCHOTTKYBARRIERDIODES FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
MBRA160T3	文件：36.43 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA160T3	文件：71.44 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
MBRA160T3G	文件：96.61 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA160T3G	文件：263.72 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMAPowerSurfaceMountPackage ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA160T3G	文件：122.69 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA160T3	文件：48.75 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER1AMPERE,600VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA160T3	文件：39.45 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA160T3G	文件：48.75 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER1AMPERE,600VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA160T3G	文件：129.27 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA160T3G	文件：266.12 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpereSurfaceMountTypeUltraFastRecoveryRectifierDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MURA160T3G	文件：56.01 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURA160T3G	文件：2.79432 Mbytes Page：28 Pages	CompactIntelligentPowerModule(IPM)MotorControlDevelopmentKit(MDK)1kW	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MURHS160T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
MEGAHERTZ™
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
SMB
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	MURHS160T3G	ON	19+	SMB	30000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MURHS160T3G	ON/安森美	23+	SMBDO-214AA	45000	热卖优势现货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MURHS160T3G	ON/安森美	23+	DO-214AA	5524	原装正品,现货库存,1小时内发货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	MURHS160T3G	ON	16+	SMBDO-214AA	10000	进口原装现货/价格优势!	询价
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深圳市汇莱威科技有限公司	MURHS160T3G	ON/安森美		SMBDO214AA	7906200		询价
深圳市慧业盛科技有限公司	MURHS160T3G	ONN	23+	N/A	1360	原装原装原装哈	询价

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