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MUR2540DC-R	文件：1.05271 Mbytes Page：4 Pages	ULTRAFST RECOVERY RECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MUR2540F	文件：1.05271 Mbytes Page：4 Pages	ULTRAFSTRECOVERYRECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MUR2540R	文件：729.39 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR2540R	文件：432.27 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR2540R	文件：81.21 Kbytes Page：1 Pages	SUPERFASTRECOVERYDIODESSTUDTYPE25A? Features HighSurgeCapability TypesUpto600VVRRM	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MUR2540R	文件：791.27 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
N2540	文件：162.59 Kbytes Page：9 Pages	Lowvoltagefast-switchingPNPpowerbipolartransistor Description ThedeviceisaPNPtransistormanufacturedusingnew“PB-HCD”(PowerBipolarHighCurrentDensity)technology.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancescoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollector-emittersaturationvoltage ■Hig	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
NCS2540	文件：346.61 Kbytes Page：13 Pages	Triple750MHzVoltageFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2540	文件：366.98 Kbytes Page：14 Pages	Triple750MHzVoltageFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2540	文件：3.72645 Mbytes Page：4 Pages	LowPower,HighSpeed,CurrentFeedbackOpAmps	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2540DTBG	文件：366.98 Kbytes Page：14 Pages	Triple750MHzVoltageFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2540DTG	文件：346.61 Kbytes Page：13 Pages	Triple750MHzVoltageFeedbackOpAmpwithEnableFeature	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJM2540	文件：122.83 Kbytes Page：8 Pages	MixerandOscillatorforTVTuner	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJM2540V	文件：122.83 Kbytes Page：8 Pages	MixerandOscillatorforTVTuner	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTE2540	文件：22.89 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorDarlington,HighVoltageSwitch Features: •HighDCCurrentGain:hFE=600Min(VCE=2V,IC=2A) •MonolithicConstructionw/Built–InBase–EmitterShuntResistor	NTE NTE Electronics	NTE
PBSS2540E	文件：172.09 Kbytes Page：11 Pages	40V,500mANPNlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS2540E	文件：285.96 Kbytes Page：12 Pages	40V,500mANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2540F	文件：63.63 Kbytes Page：8 Pages	40VlowVNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3540F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads •EnhancedperformanceoverSOT23generalpurposetransistors.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2540M	文件：150.07 Kbytes Page：9 Pages	40V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION LowVCEsatNPNtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. PNPcomplement:PBSS3540M. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS2540M	文件：73.29 Kbytes Page：9 Pages	40V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION LowVCEsatNPNtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. PNPcomplement:PBSS3540M. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MUR2540DC-R供应商更新时间2024-9-20 17:18:00

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