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MUN5213T1G分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

MUN5213T1G
厂商型号

MUN5213T1G

参数属性

MUN5213T1G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

功能描述

NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

文件大小

230.84 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-14 23:47:00

MUN5213T1G规格书详情

MUN5213T1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。安森美半导体公司制造生产的MUN5213T1G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    MUN5213T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SC-70-3
8800
公司只做原装正品
询价
ON
08+
SOT-323
2000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON/安森美
2021/2022+
NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON
24+
SC-70-3 / SOT-323-3
25000
ON全系列可订货
询价
ON/安森美
22+
SC-70-3
6000
只做原装,假一赔十
询价
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
ON/安森美
21+
SC-70-3
8080
公司只做原装,诚信经营
询价
ON(安森美)
23+
NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON/安森美
21+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
ON/安森美
22+21+
SOT-323
12000
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
询价