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MTP1N50E	文件：159.26 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP1N50E	文件：78.28 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannel TO??20 Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N50	文件：169.79 Kbytes Page：6 Pages	1.3Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N50	文件：177.99 Kbytes Page：6 Pages	1.3A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N50	文件：43.32 Kbytes Page：1 Pages	GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N50A	文件：54.54 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=1.2A@TC=25C •FEATURES •DrainCurrentID=1.2A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
1N50A	文件：194.12 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC1N50AisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanch	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N50K-TA	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELJFETFORELECTRETCONDENSERMICROPHONE	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N50-KW	文件：231.68 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N50Z	文件：183.7 Kbytes Page：6 Pages	1.3A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
FQ1N50C	文件：1.06201 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD1N50	文件：833.24 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD1N50	文件：740.38 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD1N50B	文件：606.68 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD1N50TF	文件：833.24 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQN1N50C	文件：1.06201 Mbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQN1N50C	文件：3.60244 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETMOSFET500V,0.38A,6Ohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQN1N50CTA	文件：3.60244 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETMOSFET500V,0.38A,6Ohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQNL1N50B	文件：620.15 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP1N50	文件：737.54 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
MTP1N50E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MTP1N50E	onsemi(安森美)	23+	-	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市一线半导体有限公司	MTP1N50E	ON		N/A	1000		询价
深圳市星佑电子有限公司	MTP1N50E	MOT	06+	TO-220	3000	原装库存	询价
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