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MTP10N06E	文件：272.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
EMD10N06A	文件：224.35 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD10N06E	文件：230.25 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)10mΩ ID100A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HM10N06Q	文件：749.32 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
KI10N06DY	文件：716 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LMAK10N06	文件：1.90426 Mbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MTM10N06E	文件：261.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP10N06	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SDD10N06	文件：127.42 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
SDD10N06	文件：406.19 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereHeatsinkDualTandemPolarityGeneralPurposeRectifierDiodes	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
SDP10N06	文件：1.10774 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SK10N06	文件：963.02 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SSPR10N06-C	文件：322.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
TSJ10N06AT	文件：790.93 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelDTMOS	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
TSM10N06	文件：302.72 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM10N06CP	文件：2.38028 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
TSM10N06CPRO	文件：302.72 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
VND10N06	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISOHIGHSIDESMARTPOWERSOLIDSTATERELAY Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VND10N06	文件：510.05 Kbytes Page：25 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VND10N06	文件：595.92 Kbytes Page：25 Pages	OMNIFETfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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更多MTP10N06E供应商更新时间2024-5-31 16:44:00

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