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MTB15N06E	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTB15N06V	文件：332.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTB15N06V	文件：274.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB15N06V	文件：279.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTM15N06L	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTM15N06L	文件：261.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP15N06	文件：279.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP15N06	文件：89.43 Kbytes Page：1 Pages	MTP15N05	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP15N06L	文件：279.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP15N06L	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP15N06V	文件：163.98 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM NewFeaturesofTMOSV •On–resistanceAreaProductaboutOne–halfthatofStandardMOSFETswithNewLowVoltage,LowRDS(on)Technology •FasterSwitchingthanE–FETPredecessors FeaturesCommontoTMOSVandTMOSE–FETS •Av	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP15N06V	文件：205.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP15N06VL	文件：216.25 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM NewFeaturesofTMOSV •On–resistanceAreaProductaboutOne–halfthatofStandardMOSFETswithNewLowVoltage,LowRDS(on)Technology •FasterSwitchingthanE–FETPredecessors FeaturesCommontoTMOSVandTMOSE–FETS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP15N06VL	文件：209.87 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD15N06	文件：93.44 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD15N06L	文件：93.8 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PHP15N06E	文件：54.21 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope. ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andinautomotiveandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX15N06E	文件：57.87 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP20N06E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticfull-packenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andinautomotiveandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PJD15N06L	文件：153.75 Kbytes Page：4 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
RFD15N06LE	文件：95.3 Kbytes Page：8 Pages	15A,60V,0.065Ohm,ESDRated,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,s	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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详细参数

型号：
MTD15N06
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.085 OHM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	MTD15N06	ON/安森美	2024+实力库存	TO-252	10000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市一线半导体有限公司	MTD15N06	ON	08PB		30000		询价
深圳市勤思达科技有限公司	MTD15N06	ON	12+	TO-252(DPAK)	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	MTD15N06	ON	23+	TO-252	6893		询价
深圳市华来深电子有限公司	MTD15N06	ON	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳兆威电子有限公司	MTD15N06	VB	2019	TO-252	55000	绝对原装正品假一罚十!	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	MTD15N06	M	2020+	TO-252	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市维尔达电子有限公司	MTD15N06	ON	2023+	TO-252	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	MTD15N06	ON	21+	TO-252	35200	一级代理/放心采购	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MTD15N06	NEXPERIA/安世	23+	SOD523	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价

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