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MTB6N60E1

TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

MTB6N60E1

HighEnergyPowerFET

ONSEMION Semiconductor

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更多MTB6N60E1其他三极管供应商 更新时间2024-6-3 15:53:00