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MTB10N40E	文件：331.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTB10N40E	文件：273.15 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 10 AMPERES	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB10N40E	文件：282.56 Kbytes Page：11 Pages	High Energy Power FET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB10N40ET4G	文件：1.038589 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
10N40	文件：1.85358 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
10N40	文件：175.56 Kbytes Page：4 Pages	10.5A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N40isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializesinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypul	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
CMT10N40	文件：158.44 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
DH10N40	文件：1.59586 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
DHB10N40	文件：1.59586 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
DHD10N40	文件：1.59586 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
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FTP10N40C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
IRF10N40	文件：100.28 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET	SUNTACSuntac Electronic Corp. Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
MSF10N40	文件：1.1309 Mbytes Page：7 Pages	400VN-ChannelMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTP10N40	文件：85.2 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N40	文件：249.4 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.55OHMS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
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MTP10N40E	文件：1.033119 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
MTB10N40E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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