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MBR10120	文件：147.27 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR10120CK	文件：147.99 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
MBR10120CL	文件：197.68 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
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MBR10120CT	文件：143.88 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes Features ●Highfrequencyoperation ●Lowforwardvoltagedrop ●Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance ●Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability ●Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106 TypicalAp	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
MBR10120CT	文件：1.08402 Mbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes FEATURES Highfrequencyoperation Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
MBR10120FP	文件：161.25 Kbytes Page：4 Pages	10Amp.SchottkyBarrierRectifiers	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MBRF10120C	文件：172.44 Kbytes Page：2 Pages	FullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
MBRF10120CK	文件：156.65 Kbytes Page：2 Pages	FullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
MBRF10120CL	文件：164.63 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeFullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
MR10120E	文件：191.91 Kbytes Page：2 Pages	10ASCHOTTKYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MRF10120	文件：128.12 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine MicrowaveLongPulsePowerTransistor Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. •GuaranteedPerformance@1.215GHz,36Vdc OutputPower=120WattsPeak Gain=7.6dBMin.,8.5dB(Typ) •100Testedfo	MACOM Tyco Electronics	MACOM
MRF10120	文件：98.04 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERTRANSISTOR TheRFLine MicrowaveLongPulsePowerTransistor Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. •GuaranteedPerformance@1.215GHz,36Vdc OutputPower=120WattsPeak Gain=8.0dBMin.,9.2dB(Typ) •100Testedfor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF10120	文件：171.98 Kbytes Page：5 Pages	MicrowaveLongPulsePowerSiliconNPNTransistor120W(peak),960-1215MHz MicrowaveLongPulsePowerSiliconNPNTransistor120W(peak),960–1215MHz Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. •Guaranteedperformance@1.215GHz,36Vdc Outputpower=120WPeak Gain=7.6dBmin.,8.5dB(ty	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF10120	文件：171.98 Kbytes Page：5 Pages	MicrowaveLongPulsePowerSiliconNPNTransistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MSICSN10120	文件：175.45 Kbytes Page：4 Pages	SILICONCARBIDESCHOTTKYPOWERRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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详细参数

型号：
MSICSN10120CC
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
SILICON CARBIDE DUAL SCHOTTKY POWER RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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